Gericht weist die Klage von ROHM Semiconductor USA auf Feststellung der Nichtverletzung der Patente von MaxPower Semiconductor ab und erzwingt ein Schiedsgerichtsverfahren

15.02.2021 |  Von  |  Presseportal

San Jose, Kalifornien (ots/PRNewswire) – MaxPower Semiconductor, Inc. (MaxPower), ein Anbieter von Hochleistungs-Leistungshalbleiterprodukten, gab heute bekannt, dass das US-Bezirksgericht von Nordkalifornien (U. S. District Court for the Northern District of California) nach einer Anhörung am 04. Februar 2021 die Beschwerde von ROHM Semiconductor USA LLC (ROHM USA) auf Feststellung der Nichtverletzung von Patenten von MaxPower abgewiesen hat. Das Gericht stellte fest, dass der Technologielizenzvertrag (TLA) von MaxPower mit ROHM Co., Ltd. (ROHM Japan; 6963:JPTokyo) die Tochtergesellschaften von ROHM Japan, einschließlich ROHM USA, bindet und dass derselbe Vertrag ROHM USA dazu verpflichtet, seine Ansprüche wegen Nichtverletzung schiedsgerichtlich geltend zu machen.

„Wir freuen uns, dass das Gericht unserem Antrag auf Erzwingung eines Schiedsverfahrens stattgegeben hat. Es freut uns, dass wir den Rechtsstreit über die Verletzung unserer langjährigen nicht-exklusiven Trench-Technologie MOSFET und die Patentlizenz durch ROHM beilegen können. Wir sind zuversichtlich, dass wir im Schiedsverfahren obsiegen werden. Wir beabsichtigen, unsere Technologiewerte und sonstigen Rechte geistigen Eigentums weiterhin aggressiv zu schützen“, sagte Dr. Mohamed Darwish, President und CEO von MaxPower.

Roger Cook, Chefsyndikus von MaxPower, ergänzte: „ROHM hat diese unzulässige Feststellungsklage dazu genutzt, einer schiedsgerichtlichen Beilegung dieses Rechtsstreits über den Verkauf der Silikonkarbid-Trench-MOSFETs aus dem Weg zu gehen. Dankenswerterweise sollte es mit der Beilegung dieses Rechtsstreits nun vorangehen.“

Über den Rechtsstreit

Angesichts der Behauptung von MaxPower, ROHM Japan habe seine Verpflichtungen aus dem Technologielizenzvertrag verletzt, reichte ROHM USA am 23. September 2020 eine Klage gegen MaxPower ein und beantragte die Feststellung, dass die Silikonkarbide (SiC) MOSFET von ROHM die US-Patente von MaxPower nicht verletzen. Der Beschluss des Gerichts, die Klage abzuweisen und ROHM USA auf das Schiedsverfahren zu verweisen, ist zu finden unter https://www.pacermonitor.com/public/case/36415380/Rohm_Semiconductor_USA,_LLC_v_MaxPower_Semiconductor,_Inc, Case No. 20-cv-06686-VC.

Informationen zu MaxPower Semiconductor Inc.

MaxPower Semiconductor, Inc. ist ein führendes Unternehmen für Fabless-Leistungs-Halbleiter, das sich der Lieferung innovativer und kostengünstiger und bewährter Technologien/Produkte für die Optimierung von Power Management Solutions verpflichtet hat. MaxPower ist ein Privatunternehmen mit einem leistungsstarken und expansiven IP-Portfolio, gegründet von einem international renommierten Team in der Energietechnikbranche. Nähere Informationen unter https://www.maxpowersemi.com

Logo – https://mma.prnewswire.com/media/1436925/MaxPower_Semiconductor_Logo.jpg

Pressekontakt:

Amr Darwish
COO adarwish@maxpowersemi.com

Original-Content von: MaxPower Semiconductor, Inc. übermittelt durch news aktuell

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